固体物理学中，为何载流子迁移率受限于晶格散射？
在固体物理学中，半导体材料中的载流子（电子或空穴）迁移率是决定其电导性能的关键因素，这一过程受到晶格散射的强烈限制，晶格散射，即载流子与晶体中不规则排列的原子或缺陷的碰撞，是导致载流子迁移率降低的主要原因之一。具体而言，当载流子在晶体中移动...
在固体物理学中，半导体材料中的载流子（电子或空穴）迁移率是决定其电导性能的关键因素，这一过程受到晶格散射的强烈限制，晶格散射，即载流子与晶体中不规则排列的原子或缺陷的碰撞，是导致载流子迁移率降低的主要原因之一。具体而言，当载流子在晶体中移动...