雷电对半导体器件的潜在威胁，如何防护？

在半导体领域，雷电作为一种自然界的强烈电磁脉冲，对电子设备和系统构成了巨大的威胁，雷电不仅可能直接击中设备，其产生的电磁场和过电压还能通过电源线、信号线等途径侵入设备内部，导致半导体器件的损坏或性能下降。

问题： 雷电如何影响半导体器件的稳定性和寿命？

回答： 雷电产生的瞬态过电压和电流峰值极高，足以击穿半导体器件的绝缘层，造成器件开路或短路，雷电电磁脉冲（LEMP）还会在半导体器件中产生大量热能，导致器件温度急剧上升，进而引发热失效，更严重的是，雷电还可能引起半导体器件内部的电荷积累，导致器件性能退化或完全失效。

为了有效防护半导体器件免受雷电的威胁，需要采取多层次的防护措施，这包括在设备入口处安装避雷器、使用屏蔽电缆和合理接地等措施来减少雷电电磁脉冲的侵入，对关键半导体器件进行特殊处理，如增加保护二极管、使用瞬态电压抑制器等，以提高其抗过压和抗电磁干扰的能力。

雷电对半导体器件的潜在威胁不容忽视，采取有效的防护措施是保障电子设备和系统稳定运行的关键。