在半导体领域,雷电作为一种自然现象,其强大的电磁场和电流变化可能对电子设备,尤其是半导体器件造成严重损害,一个常被忽视的问题是,雷电不仅通过直接雷击造成危害,其间接效应——如电磁脉冲(EMP)和过电压浪涌,同样对半导体器件构成威胁。
半导体器件,如集成电路、晶体管等,对电磁干扰和过电压极为敏感,雷电引起的电磁脉冲能穿透建筑物,干扰或损坏内部电子设备,雷电导致的电网电压瞬时升高,可形成过电压浪涌,轻则使半导体器件性能下降,重则直接烧毁。
为保护半导体器件免受雷电威胁,需采取多重防护措施:一是安装避雷针或避雷网等外部防雷装置;二是使用防雷电源滤波器、压敏电阻等内部防雷元件;三是采用屏蔽技术,减少电磁场对设备的干扰;四是设计合理的接地系统,确保雷电能量能迅速导入大地。
虽然雷电对半导体器件的威胁不容小觑,但通过科学合理的防护措施,我们能够有效降低其潜在风险,确保电子设备的稳定运行。
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雷电防护需关注半导体器件,采用瞬态电压抑制器等措施保护设备安全。
雷电威胁半导体器件,需采用避雷针、浪涌保护器等措施有效防护。
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