在半导体材料的研究中，一个长期存在的挑战是如何精确调控材料的能带结构，以实现更优的电子传输性能，从分子物理学的角度出发，一个关键问题是：如何通过分子层面的相互作用，影响半导体材料的电子结构？
回答这一问题，需深入理解分子间范德华力、氢键等弱相互作用对电子云分布的微妙影响，通过精确控制这些相互作用，可以调整能带边缘的位置，进而影响材料的带隙宽度和载流子有效质量，利用分子自组装技术，在半导体表面构建特定排列的分子层，可以有效地调节表面态密度和能级分布，从而优化载流子的注入效率和传输速度，分子间的电荷转移和偶极矩相互作用也能在界面处形成势垒或通道，进一步调控电子的传输行为。
分子物理学为半导体材料性能的优化提供了新的视角和手段，通过精细调控分子间的相互作用，可以实现对半导体材料电子结构的精准操控，为未来高性能电子器件的研发奠定基础。
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