在半导体制造中，晶圆的生长过程至关重要，而这一过程往往受到地质构造的深刻影响，地质学中的板块构造理论揭示了地壳的运动和变形，这些运动不仅塑造了地表形态，还对地下岩浆的流动、温度分布以及矿物质的分布产生了重要影响。
在板块边缘的火山活动区域，高温岩浆的涌动可能导致地下温度的急剧升高，进而影响晶圆生长所需的温度环境，岩浆中的矿物质成分也可能被带入到晶圆生长的熔体中，改变其化学组成和物理性质，从而影响晶体的质量和性能。
地质学知识在半导体晶圆生长过程中具有不可忽视的作用，通过深入研究地质构造对晶圆生长的影响，我们可以更好地控制生长条件，提高晶圆的质量和性能，为半导体产业的发展提供坚实的科学基础。
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地质构造的稳定性和矿物成分通过影响原材料纯度，间接调控半导体晶圆的生长质量与性能。
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