在半导体领域，结构材料的选择与优化是决定器件性能优劣的关键因素之一，晶格结构直接影响载流子的迁移率，进而影响器件的开关速度和电流传输能力，硅（Si）和锗（Ge）因其良好的晶格结构和适中的带隙宽度，成为制造传统CMOS（互补金属氧化物半导体）器件的主要材料。
材料的界面特性对器件的稳定性和可靠性至关重要，良好的界面可以减少缺陷态密度，降低漏电流，提高器件的开关比和信噪比，通过精确控制Si与二氧化硅（SiO2）的界面，可以显著提升MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的性能。
三维结构的创新也为半导体材料带来了新的可能性，通过构建纳米线、纳米管或量子点等新型结构材料，可以增加比表面积，提高光吸收效率，为光电、微电子等领域带来革命性的变化。
结构材料在半导体器件中扮演着“基石”的角色，其性质和结构直接关系到器件的电学性能、稳定性和应用潜力，深入研究和优化结构材料，是推动半导体技术不断向前发展的关键所在。
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结构材料是决定半导体器件性能优劣的关键因素之一。
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